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μ PA606T
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
100
30
10
3
I D = 10 mA
Pulsed
measurement
1 000
300
100
30
V GS = 10 V
Pulsed
measurement
T A = 75 ?C
25 ?C
–25 ?C
1
10
1
3 10 30
100
10
30 100 300
1 000
V GS - Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. CHANNEL TEMPERATURE
I D - Drain Current - mA
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
30
V GS = 10 V
100
Pulsed
measurement
C iss
20
10
0
10
1
0.1
V GS = 0
f = 1 MHz
C oss
C rss
–30
0
30
60
90
120
150
0.1
1 10
100
T ch - Channel Temperature - ?C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
100
t d(off)
100
V GS = 0
Pulsed
measurement
50
20
t f
t r
t d(on)
V DD = 5 V
10
1
10
V GS = 5 V
R G = 10 ?
0.1
10
20 50
100
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
4
I D - Drain Current - mA
V SD - Source to Drain Voltage - V
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